CMPTA14CENTRAL

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CMPTA14CENTRAL 技术参数

CMPTA14 TR 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA06 TR 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPT930 TR 功能描述:TRANS NPN 45V 30MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPT918 TR 功能描述:RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:11dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPT8599 TR 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA92E TR CMPTA94 TR CMPTA96 TR CMPTH81 TR CMPWR025R CMPWR101R CMPWR150SF CMPWR280TN CMPWR330SF CMPZ5221B BK CMPZ5221B TR CMPZ5222B TR CMPZ5223B TR CMPZ5224B TR CMPZ5225B BK CMPZ5225B TR CMPZ5226B BK CMPZ5226B TR