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CMPTA56-TR

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CMPTA56-TR 技术参数
  • CMPTA56 TR 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA46 TR 功能描述:TRANS NPN 450V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA44 TR 功能描述:TRANS NPN 400V 0.3A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA42E TR 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA42 TR 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPWR280TN CMPWR330SF CMPZ5221B BK CMPZ5221B TR CMPZ5222B TR CMPZ5223B TR CMPZ5224B TR CMPZ5225B BK CMPZ5225B TR CMPZ5226B BK CMPZ5226B TR CMPZ5227B TR CMPZ5228B BK CMPZ5228B TR CMPZ5229B BK CMPZ5229B TR CMPZ5230B BK CMPZ5230B TR
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