CMPWNR120S

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CMPWNR120S 技术参数

CMPTH81 TR 功能描述:RF Transistor PNP 20V 50mA 600MHz 225mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA96 TR 功能描述:TRANS PNP 450V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA94 TR 功能描述:TRANS PNP 400V 0.3A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA92E TR 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:105 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPTA92 TR 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPZ5224B TR CMPZ5225B BK CMPZ5225B TR CMPZ5226B BK CMPZ5226B TR CMPZ5227B TR CMPZ5228B BK CMPZ5228B TR CMPZ5229B BK CMPZ5229B TR CMPZ5230B BK CMPZ5230B TR CMPZ5231B BK CMPZ5231B TR CMPZ5232B BK CMPZ5232B TR CMPZ5233B BK CMPZ5233B TR