CMUDM8005TR

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CMUDM8005TRPB-FREE
深圳市海天鸿电子科技有限公司
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联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
8660
Central Semi
SOT523
1728+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

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CMUDM8005TR 技术参数

CMUDM8005 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7005 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUSBAABL CMUSBAAEI CMUSBAAIG CMUSBAAIW CMUSBAAWH CMUSH05-4 TR CMUSH2-4 TR CMUSH2-4A TR CMUSH2-4S TR CMUT19 CMUT2222A BK CMUT2222A TR CMUT2907A BK CMUT2907A TR CMUT3904 BK CMUT3904 TR CMUT5087E TR CMUT5088E TR