CMZ13(TE85,Q)

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CMZ13(TE85,Q) 技术参数

CMZ13(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ12(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMYTVS5-2 TR 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12VC SOT-534 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:60W 电源线路保护:是应用:以太网，HDMI 不同频率时的电容:0.9pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75-4，SOT-543 供应商器件封装:SOT-543 标准包装:3,000 CMXZ39VTO TR 功能描述:DIODE-ZENER TRIPLE: OPPOSING 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件状态:在售配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:3,000 CMXT3946 TR 功能描述:TRANS NPN/PNP 200MA SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz，250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 CMZ5915B TR13 CMZ5918B BK CMZ5918B TR13 CMZ5919B BK CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK