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CMZ24(TE12L,Q,M)

配单专家企业名单
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  • CMZ24(TE12L,Q,M)
    CMZ24(TE12L,Q,M)

    CMZ24(TE12L,Q,M)

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • TOSHIBA代理

  • 刚到货

  • 新批次

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  • TOSHIBA代理可含税开票

  • CMZ24(TE12L,Q,M)
    CMZ24(TE12L,Q,M)

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 1
CMZ24(TE12L,Q,M) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 24V 2W M-FLAT
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
CMZ24(TE12L,Q,M) 技术参数
  • CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ16(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ15(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK
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