CPN16

配单专家企业名单

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说明
操作

CPN16
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Cinch Connectivity Soluti
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

CPN16
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：刘春兰
电话：19129491434(微信同号)
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10000
Emerson Network Power Con
原装
2013+
-
授权分销现货热卖

CPN16
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
795
Emerson Network Power Con
原装
12+
-
授权分销现货热卖

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功能描述
CONN N PLUG STR CRIMP 3PC RG-450
RoHS
是
类别
连接器，互连式 >> 同轴，RF
系列
N 型
标准包装
1
系列
N 型
连接器类型
N 型
连接器类型
插头，公引脚
触点终端
压接和焊接
阻抗
50 欧姆
安装类型
自由悬挂
紧固型
有螺纹
缆线组
RG-401（0.250" 半刚性）
频率 - 最大
11GHz
特点
-
颜色
-
包装
散装
产品目录页面
444 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
ACX1134

CPN16 技术参数

CPN142T 功能描述:N Type Connector Plug, Male Pin 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Crimp or Solder 制造商:cinch connectivity solutions aim-cambridge 系列:- 包装:散装零件状态:有效连接器样式:N 型连接器类型:插头，公引脚触头端接:压接或焊接保护端接:压接阻抗:50 欧姆安装类型:自由悬挂电缆组:RG-142 TFE 紧固类型:有螺纹频率 - 最大值:11GHz 特性:- 外壳颜色:银侵入防护:- 基体材料:黄铜基体表面:镍中心触头材料:黄铜中心触头镀层:金介电材料:- 额定电压:500V 工作温度:-65°C ~ 165°C 标准包装:10 CPN1 功能描述:N Type Connector Plug, Male Pin 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Crimp or Solder 制造商:cinch connectivity solutions aim-cambridge 系列:- 包装:散装零件状态:有效连接器样式:N 型连接器类型:插头，公引脚触头端接:压接或焊接保护端接:压接阻抗:50 欧姆安装类型:自由悬挂电缆组:RG-58 紧固类型:有螺纹频率 - 最大值:11GHz 特性:- 外壳颜色:银侵入防护:- 基体材料:黄铜基体表面:镍中心触头材料:黄铜中心触头镀层:金介电材料:- 额定电压:500V 工作温度:-65°C ~ 165°C 标准包装:10 CP-MOD-M1G 功能描述:CONNECTPORT MODULE 制造商:digi international 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 CPMF-1200-S160B 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:47.1nC @ 20V Vgs（最大值）:+25V，-5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:928pF @ 800V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:202W（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 10A，20V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 CPMF-1200-S080B 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:90.8nC @ 20V Vgs（最大值）:+25V，-5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1915pF @ 800V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:313mW（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 CPN-68-13 CPN688 CPN8 CPN8/110 CPNAL CPNEI CPNEI-2G CPNIG CPNIG-2G CPNIW CPNIW-2G CP-N-JJS-1 C-PNL60D-MIO2261-1 C-PNL60D-MIO2261-2 CPNLRJ45 CPNLUSBA CPNLUSBB CP-N-PJG-3