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CRS20I40A(TE85LQM

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CRS20I40A(TE85LQM 技术参数
  • CRS20I40A(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:600mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:35pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 CRS20I30B(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:450mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:82pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 CRS20I30A(TE85L,QM 功能描述:Diode Schottky 30V 2A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):490mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:50pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 CRS2010-JX-100ELF 功能描述:RES SMD 10 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):10 容差:±5% 功率(W):1W 成分:厚膜 特性:高电压,脉冲耐受 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 CRS2010-JW-4R7ELF 功能描述:RES SMD 4.7 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电阻(欧姆):4.7 容差:±5% 功率(W):1W 成分:厚膜 特性:高电压,脉冲耐受 温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2010(5025 公制) 供应商器件封装:2010 大小/尺寸:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子数:2 标准包装:1 CRS2512-FX-10R0ELF CRS2512-FX-27R0ELF CRS2512-FX-47R0ELF CRS2512-JW-4R7ELF CRS2512-JX-100ELF CRS2512-JX-102ELF CRS3 CRS30I30A(TE85L,QM CRS30I40A(TE85L,QM CRS4 CRS4-125-X CRS505 CRS512 CRS6 CRS6-X CRS7 CRSH2-10 BK CRSH2-10 TR
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