CY7C1009-12VXC

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CY7C1009-12VXC 技术参数

CY7C1007D-10VXIT 功能描述:静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1007D-10VXI 功能描述:静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1007BN-15VXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 28SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1007BN-15VXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 28SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1007B-15VXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 28SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1009D-10VXIT CY7C1010DV33-10VXI CY7C1010DV33-10VXIT CY7C1010DV33-10ZSXI CY7C1010DV33-10ZSXIT CY7C1011CV33-10BAJXE CY7C1011CV33-10BAJXET CY7C1011CV33-10ZSXA CY7C1011CV33-10ZSXAT CY7C1011CV33-12AXI CY7C1011CV33-12AXIT CY7C1011CV33-12ZSXE CY7C1011CV33-12ZSXET CY7C1011DV33-10BVI CY7C1011DV33-10BVIT CY7C1011DV33-10BVXI CY7C1011DV33-10BVXIT CY7C1011DV33-10ZSXI