CY7C1069DV33-10ZSXICY

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CY7C1069DV33-10ZSXICY 技术参数

CY7C1069DV33-10ZSXI 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 CPG FAST ASYNC RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1069DV33-10BVXIT 功能描述:静态随机存取存储器 16Mb 2Mx8 10ns 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1069DV33-10BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 16MB (2Mx8) 3.3v 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1069AV33-8ZXC 功能描述:IC SRAM 16MBIT 8NS 54TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1069AV33-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1069GE30-10ZSXI CY7C1069GE30-10ZSXIT CY7C1069GN30-10BVXI CY7C1069GN30-10BVXIT CY7C1069GN30-10ZSXI CY7C1069GN30-10ZSXIT CY7C106D-10VXI CY7C106D-10VXIT CY7C1071DV33-12BAXI CY7C1071DV33-12BAXIT CY7C1079DV33-12BAXI CY7C1079DV33-12BAXIT CY7C107D-10VXI CY7C107D-10VXIT CY7C1081DV33-12BAXI CY7C109B-12VC CY7C109B-12ZXC CY7C109B-12ZXCT