CY7C1165V18-400BXC

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CY7C1165V18-400BXC 技术参数

CY7C1165KV18-550BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1165KV18-550BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 550MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1165KV18-400BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1165KV18-400BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1168KV18-550BZXC CY7C1168V18-375BZC CY7C1168V18-375BZXC CY7C1168V18-400BZC CY7C1168V18-400BZXC CY7C11701KV18-400BZXC CY7C1170KV18-400BZC CY7C1170KV18-400BZXC CY7C1170KV18-450BZXC CY7C1170KV18-550BZC CY7C1170V18-400BZC CY7C1170V18-400BZXC CY7C1231H-133AXC CY7C1243KV18-400BZC CY7C1243KV18-450BZC CY7C12451KV18-400BZC CY7C12451KV18-400BZXC CY7C1245KV18-400BZC