CY7C1266V18-300BZXI

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CY7C1266V18-300BZXI 技术参数

CY7C1265XV18-633BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 633MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1265XV18-600BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 600MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1265V18-450BZC 功能描述:静态随机存取存储器 36M QDR2+, B4 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1265V18-400BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 36M QDR2+静态随机存取存储器 B2 2.5 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1265V18-400BZC 功能描述:静态随机存取存储器 36M QDR2+静态随机存取存储器 B2 2.5 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1268XV18-633BZXC CY7C12701KV18-400BZXC CY7C1270KV18-400BZC CY7C1270KV18-400BZXC CY7C1270KV18-400BZXI CY7C1270KV18-550BZC CY7C1270V18-375BZC CY7C1270V18-375BZI CY7C1270V18-375BZXC CY7C1270V18-400BZC CY7C1270V18-400BZXC CY7C1270XV18-600BZXC CY7C1270XV18-633BZXC CY7C128A-15PC CY7C128A-15VC CY7C128A-20VC CY7C128A-20VXC CY7C128A-20VXCT