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CY7C1413BV18-200ZBC

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CY7C1413BV18-200ZBC 技术参数

CY7C1413BV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1413AV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1413AV18-250BZCT 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1413AV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1413AV18-200BZI 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1413KV18-250BZXC CY7C1413KV18-250BZXI CY7C1413KV18-300BZC CY7C1413KV18-300BZCT CY7C1413KV18-300BZXC CY7C1413KV18-333BZC CY7C1413KV18-333BZI CY7C1413KV18-333BZXI CY7C1413SV18-250BZC CY7C1413TV18-250BZC CY7C1413UV18-300BZC CY7C1413UV18-300BZXC CY7C14141KV18-250BZXC CY7C14141KV18-300BZXC CY7C1414AV18-167BZC CY7C1414AV18-167BZCT CY7C1414AV18-167BZI CY7C1414AV18-200BZC