CY7C1414AV18-187BZC

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CY7C1414AV18-187BZC 技术参数

CY7C1414AV18-167BZI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-167BZCT 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C14141KV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器 QDR RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C14141KV18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165-FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1414BV18-250BZXI CY7C1414JV18-250BZXC CY7C1414JV18-267BZC CY7C1414KV18-250BZC CY7C1414KV18-250BZCT CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZXC CY7C1414KV18-250BZXCT CY7C1414KV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZXIT CY7C1414KV18-300BZC CY7C1414KV18-300BZI CY7C1414KV18-300BZXC CY7C1414KV18-300BZXI CY7C1414KV18-333BZC CY7C1414KV18-333BZXC CY7C1414KV18-333BZXI CY7C1414LV18-250BZXC