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CY7C1461V25-150BGC

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CY7C1461V25-150BGC 技术参数
  • CY7C1461SV33-133AXI 功能描述:IC SRAM 36MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:NoBL™ 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1461SV33-133AXCT 功能描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 133 MHz 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1461SV33-133AXC 功能描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 133 MHz 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1461AV33-133AXI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 3.3V NoBL FT 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1461AV33-133AXCT 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 3.3V NoBL FT 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1462BV25-250AXC CY7C1462BV25-250BZXC CY7C1462KV25-167BZI CY7C1462KV25-200AXC CY7C1462KV25-200AXCT CY7C1462KV25-250BZXC CY7C1462KVE25-167BZI CY7C1462KVE33-167AXC CY7C1462SV25-200AXC CY7C1462SV25-200AXCT CY7C1463AV33-133AXC CY7C1463AV33-133AXI CY7C1463BV33-133AXI CY7C1463KV33-133AXC CY7C1464AV25-167BGC CY7C1464AV33-167BGI CY7C146-55JXC CY7C146-55JXCT
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