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CYD18S36V-100TII

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    CYD18S36V-100TII

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 40

  • CYPRESS

  • BGA256

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品

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  • 1
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CYD18S36V-100TII 技术参数
  • CYD18S18V18-200BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-200BBAXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-167BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18432KB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD09S72V18-250BBXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 250MHZ 256LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CYD09S72V18-200BGXI 功能描述:静态随机存取存储器 9216K (128Kx72) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S72V18-167BGI CYD18S72V18-167BGXC CYD18S72V18-200BBXC CYD18S72V18-200BBXI CYD18S72V18-200BGI CYD18S72V18-200BGXI CYD18S72V18-250BBXC CYD36S18V18-167BGXC CYD36S18V18-167BGXI CYD36S18V18-200BGXC CYD36S36V18-133BBXC CYD36S36V18-133BBXI CYD36S36V18-167BBXC CYD36S36V18-167BBXI CYD36S36V18-167BGXC CYD36S36V18-167BGXI CYD36S36V18-200BBXC CYD36S36V18-200BGXC
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