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DCPJ5S5-1W

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DCPJ5S5-1W 技术参数
  • DCP69A-16-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 DCP69A-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 DCP69-25-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 DCP69-16-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 DCP69-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 DCP-RJ5B-RD DCP-RJ5B-SD DCP-RJ5SB-F DCP-RJ5SB-RD DCP-RJ5SB-SD DCP-RJ5ST-F DCP-RJ5ST-RD DCP-RJ5ST-SD DCP-RJ5T-F DCP-RJ5T-RD DCP-RJ5T-SD DCP-RJ6B-F DCP-RJ6B-RD DCP-RJ6B-SD DCP-RJ6SB-F DCP-RJ6SB-RD DCP-RJ6SB-SD DCP-RJ6ST-F
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