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DDTA114KA-7

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 10KW 4.7KW 10K
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

DDTA114KA-7 技术参数

DDTA114GUA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 DDTA114GUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTA114GCA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 DDTA114EUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTA113TE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:1k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTA114WKA-7-F DDTA114WUA-7 DDTA114WUA-7-F DDTA114YCA-7 DDTA114YCA-7-F DDTA114YE-7-F DDTA114YKA-7-F DDTA114YLP-7 DDTA114YUA-7 DDTA114YUA-7-F DDTA115ECA-7 DDTA115ECA-7-F DDTA115EE-7-F DDTA115EKA-7-F DDTA115EUA-7 DDTA115EUA-7-F DDTA115GCA-7 DDTA115GCA-7-F