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DDTA162

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DDTA162
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
400
NEC
TSS0P30
2012+
-
只做原装正品。

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您是不是要找： DDTB113EC-7-F DDTB113EU-7-F DDTB113ZC-7-F DDTB113ZU-7-F DDTB114EC-7-F DDTB114EU-7-F DDTB114GC-7-F DDTB114GU-7-F DDTB114TC-7-F

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DDTA162 技术参数

DDTA144WUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTA144VE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTA144VCA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 DDTA144VCA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 DDTA144TE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250μA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 DDTB114TU-7-F DDTB122JC-7-F DDTB122JU-7-F DDTB122LC-7 DDTB122LC-7-F DDTB122LU-7 DDTB122LU-7-F DDTB122TC-7 DDTB122TC-7-F DDTB122TU-7 DDTB122TU-7-F DDTB123EC-7-F DDTB123EU-7-F DDTB123TC-7-F DDTB123TU-7-F DDTB123YC-7-F DDTB123YU-7-F DDTB133HC-7-F