DF2116VTE20V

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DF2116VTE20V 技术参数

DF2116VT20V 功能描述:IC H8S/2116 MCU FLASH 144TQFP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:H8® H8S/2100 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DF2116VBG20V 功能描述:MCU 3V 128K PB-FREE 176-BGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:H8® H8S/2100 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DF2116VBG20HV 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 3V 128K HALOGEN-FREE 176-BGA DF2114RVT20V 功能描述:IC H8S/2114 MCU FLASH 144TQFP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:H8® H8S/2100 标准包装:160 系列:S08 核心处理器:S08 芯体尺寸:8-位速度:40MHz 连通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外围设备:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 输入/输出数:53 程序存储器容量:32KB（32K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 12x12b 振荡器型:内部工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:64-LQFP 包装:托盘 DF2111BVT10CV 功能描述:IC H8S/2111B MCU FLASH 144TQFP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:H8® H8S/2100 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DF2117RVT20IHV DF2117RVT20V DF2117VBG20IHV DF2117VBG20V DF2117VLP20HV DF2117VLP20V DF2117VT20HV DF2117VT20IHV DF2117VT20V DF21-20P/40DP-0.6PTB DF21-20P-0.6SD(05) DF21-20P-0.6SD-GND(05) DF21-20S-0.6V(56) DF2128FA20V DF21-30P-0.6SD(05) DF21-30P-0.6SD-GND(05) DF21-30S-0.6V(56) DF2132RFA20V