DI9942T

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DI9942T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

DI9942T
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4680
DIODES IN
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

DI9942T
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Diodes Incorporated
8-SOP
17+
-
全新原装现货

DI9942T
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
934
Diodes Incorporated
8-SOIC
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
-
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

DI9942T 技术参数

DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSOP（0.130"，3.30mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，鸥翼型供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2220（5650 公制）大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.152"（3.86mm）标准包装:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:300nH 容差:±10% 额定电流:8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.220" 长 x 0.200" 宽（5.59mm x 5.08mm）高度 - 安装（最大值）:0.142"（3.60mm）标准包装:1 DHSF44G272ZT2B 功能描述:CAP CER 2700PF 40KV Z5U DISK 制造商:murata electronics north america 系列:DHS 包装:散装零件状态:在售电容:2700pF 容差:-20%，+80% 电压 - 额定:40000V（40kV）温度系数:Z5U 工作温度:10°C ~ 85°C 特性:高电压等级:- 应用:通用安装类型:需要支座封装/外壳:圆盘形，金属配接件 - 有螺纹大小/尺寸:2.362" 直径（60.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.673"（42.50mm）厚度（最大值）:- 引线间距:- 引线形式:- 标准包装:1 DIA53S72450A DIABLO16 DIABVNOTCH DIAGB5 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02