DME10S15K

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DME10S15K-F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Cornell Dubilier Electron
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装

1/1页 40条/页共5条
1

您是不是要找： DME10S15K-F DME10S18K-F DME10S1K-F DME10S22K-F DME10S27K-F DME10S33K-F DME10S39K-F DME10S47K-F DME10S56K-F

DME10S15K PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DME10S15K PDF下载

功能描述
薄膜电容器 DME 1KV .015uF
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
产品类型
电介质
Polyester
电容
0.047 uF
容差
10 %
电压额定值
100 V
系列
225P
工作温度范围
- 55 C to + 85 C
端接类型
Radial
引线间隔
9.5 mm

DME10S15K 技术参数

DME10P22K-F 功能描述:0.22μF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:DME 包装:散装零件状态:有效电容:0.22μF 容差:±10% 额定电压 - AC:250V 额定电压 - DC:1000V（1kV）介电材料:聚酯，金属化 ESR（等效串联电阻）:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:1.024" 长 x 0.472" 宽（26.00mm x 12.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.906"（23.00mm）端接:PC 引脚引线间距:0.886"（22.50mm）应用:通用特性:- 标准包装:200 DME10P1K-F 功能描述:0.1μF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Radial 0.827" L x 0.394" W (21.00mm x 10.00mm) 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:DME 包装:散装零件状态:有效电容:0.1μF 容差:±10% 额定电压 - AC:250V 额定电压 - DC:1000V（1kV）介电材料:聚酯，金属化 ESR（等效串联电阻）:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.827" 长 x 0.394" 宽（21.00mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.846"（21.50mm）端接:PC 引脚引线间距:0.689"（17.50mm）应用:通用特性:- 标准包装:200 DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件状态:过期字符数:80 显示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 点显示类型:STN - 超扭转向列显示模式:可传导的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可视范围:152.50mm 长 x 16.50mm 宽背光:LED - 黄/绿电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:- 接口:并联工作温度:0°C ~ 50°C 文字颜色:黄背景颜色:绿标准包装:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DME10S68K-F DME10S82K-F DME1737-NW DME1P56K-F DME1P68K-F DME1P82K-F DME1W10K-F DME1W1K-F DME1W1P2K DME1W1P2K-F DME1W1P5K-F DME1W1P8K-F DME1W2P2K-F DME1W2P7K DME1W2P7K-F DME1W3P3K-F DME1W3P9K-F DME1W4P7K-F