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DMN62D0LFD-7

配单专家企业名单
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  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • DIODES(美台)

  • X1-DFN1212-3

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 13150

  • DIODES IN

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人：林先生

    电话：0755-8276920313538142003

    地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质：营业执照

  • 6000

  • DIODES/美台

  • X1-DFN1212-3

  • 21+

  • -

  • 原装正品，假一赔十！

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Diodes Incorporated

  • 3-X1DFN1212

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13305449939

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • DIODES

  • NA

  • 近两年

  • -

  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人：雷小姐

    电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）

    地址：华强街道赛格广场55楼5566室

    资质：营业执照

  • 90000

  • DIODES/美台

  • X1DFN12123

  • 2020+

  • -

  • ★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 深圳市华思半导体技术有限公司
    深圳市华思半导体技术有限公司

    联系人：陈先生

    电话：0755-8329998313662227781

    地址：华强北路华强广场B座27K

    资质：营业执照

  • 18000

  • DIODES美台

  • 原厂封装

  • 23+

  • -

  • 全新原装现货，特价支持

  • DMN62D0LFD-7
    DMN62D0LFD-7

    DMN62D0LFD-7

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 主营优势

  • 1905

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共13条 
  • 1
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DMN62D0LFD-7 技术参数
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN62D1LFD-13 DMN62D1LFD-7 DMN62D1SFB-7B DMN63D0LT-7 DMN63D1L-13 DMN63D1L-7 DMN63D1LDW-13 DMN63D1LDW-7 DMN63D1LT-13 DMN63D1LT-7 DMN63D1LV-13 DMN63D1LV-7 DMN63D1LW-13 DMN63D1LW-7 DMN63D8L-13 DMN63D8L-7 DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-7
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