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DRA9114E-X

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DRA9114E-X 技术参数
  • DRA74-R33-R 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 7.26A 5.4 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:330nH 容差:±20% 额定电流:7.26A 电流 - 饱和值:18.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):5.4 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 165°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.299" 长 x 0.299" 宽(7.60mm x 7.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.171"(4.35mm) 标准包装:1 DRA74-8R2-R 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.66A 40 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:8.2μH 容差:±20% 额定电流:2.66A 电流 - 饱和值:3.17A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):40 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 165°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.299" 长 x 0.299" 宽(7.60mm x 7.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.171"(4.35mm) 标准包装:1 DRA74-821-R 功能描述:820μH Shielded Wirewound Inductor 279mA 3.63 Ohm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:820μH 容差:±20% 额定电流:279mA 电流 - 饱和值:327mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):3.63 欧姆 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 165°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.299" 长 x 0.299" 宽(7.60mm x 7.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.171"(4.35mm) 标准包装:1 DRA74-820-R 功能描述:82μH Shielded Wirewound Inductor 879mA 367 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:82μH 容差:±20% 额定电流:879mA 电流 - 饱和值:1.034A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):367 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 165°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.299" 长 x 0.299" 宽(7.60mm x 7.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.171"(4.35mm) 标准包装:1 DRA74-6R8-R 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 2.91A 34 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:2.91A 电流 - 饱和值:3.68A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):34 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 165°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.299" 长 x 0.299" 宽(7.60mm x 7.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.171"(4.35mm) 标准包装:1 DRA9124T0L DRA9124X0L DRA9143E0L DRA9143T0L DRA9143X0L DRA9143Y0L DRA9143Z0L DRA9144E0L DRA9144T0L DRA9144V0L DRA9144W0L DRA9152Z0L DRA9A14Y0L DRA9A24E0L DRAC16H DRAC16HB DRAC16P DRA-CN024D05
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