DRV591VFBR

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DRV591VFBR 技术参数

DRV591EVM 功能描述:DRV591 - Power Management, Half H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（内部 FET）嵌入式:否使用的 IC/零件:DRV591 主要属性:+/-3 A，2.8 ~ 5.5 V，用于热电冷却器（TEC）或激光二极管辅助属性:过电流，欠电压和热保护，100 或 500 kHz PWM 频率所含物品:板标准包装:1 DRV590ZQCR 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV590GQCR 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV590DWP 功能描述:功率驱动器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV5053VAQLPGMQ1 功能描述:IC HALL SENSOR TO-92 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:线性技术:霍尔效应轴:单路感应范围:±9mT 电压 - 电源:2.7 V ~ 38 V 电流 - 电源（最大值）:3.6mA 电流 - 输出（最大值）:2.3mA 输出类型:模拟电压分辨率:- 带宽:20kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）特性:温度补偿封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 DRV594EVM DRV594VFP DRV594VFPR DRV595DAP DRV595DAPR DRV595EVM DRV600EVM DRV600RTJR DRV600RTJT DRV600RTJTG4 DRV601EVM DRV601EVM2 DRV601RTJR DRV601RTJRG4 DRV601RTJT DRV602EVM2 DRV602PW DRV602PWR