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DRV593VFPR.

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  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • PWM POWER DRIVER SMD HLQFP32 593
DRV593VFPR. 技术参数
  • DRV593VFPR 功能描述:功率驱动器IC +/-3 A High-Eff RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV593VFP 功能描述:功率驱动器IC +/-3 A High-Eff RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV593EVM 功能描述:DRV593 - Power Management, Half H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效 主要用途:电源管理,半 H 桥驱动器(内部 FET) 嵌入式:- 使用的 IC/零件:DRV593 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:1 DRV592VFP 功能描述:功率驱动器IC High-Eff H-Bridge (Req Ext PWM) RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube DRV592EVM 功能描述:DRV592 - Power Management, H-Bridge Driver (Internal FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:过期 主要用途:电源管理,H 桥驱动器(内部 FET) 嵌入式:否 使用的 IC/零件:DRV592 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:1 DRV600RTJTG4 DRV601EVM DRV601EVM2 DRV601RTJR DRV601RTJRG4 DRV601RTJT DRV602EVM2 DRV602PW DRV602PWR DRV603EVM DRV603PW DRV603PWR DRV604PWP DRV604PWPEVM DRV604PWPR DRV612EVM DRV612PW DRV612PWR
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