DS2229I-4MG

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功能描述
静态随机存取存储器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray

DS2229I-4MG 技术参数

DS2229-85 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray DS2227-120 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 72SIMM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS2227-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 72SIMM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS2227-070 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 72SIMM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS21T09S+ 功能描述:SCSI 接口集成电路 RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作电源电压:2.7 V to 5.25 V 电源电流:13 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SSOP-36 封装:Tube DS2251T-128-16 DS2251T-128-16# DS2251T-32-16 DS2251T-32-16# DS2251T-64-16 DS2251T-64-16# DS2252T-128-16 DS2252T-128-16# DS2252T-32-16 DS2252T-32-16# DS2252T-64-16 DS2252T-64-16# DS227 DS2282-113 DS229 DS229+ DS2291/87-22291-000 DS229E