EC49222-3-B3G

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EC49222-3-B3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
E-CMOS
SOT-163
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EC49222-3-B3G 技术参数

EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:224 毫欧 @ 600mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:0503（1308 公制）标准包装:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 欧姆 @ 100mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFDFN 供应商器件封装:4-ECSP1008 标准包装:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件状态:在售内核类型:EC 容差:- 间隙:- 材料:3C94 表面:无涂层供应商器件封装:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 长度:41.60mm 宽度:11.60mm 直径:- 标准包装:300 EC350X 功能描述:GDT 350V 15% 5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:EC350X 包装:散装零件状态:有效电压 - DC 火花放电（标称值）:350V 脉冲放电电流（8/20us）:5000A（5kA）容差:±15% 极数:2 故障短接:无安装类型:通孔封装/外壳:轴向圆柱形标准包装:100 EC35/17/10-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件状态:在售内核类型:EC 容差:- 间隙:- 材料:3C94 表面:无涂层供应商器件封装:EC 35 x 17 x 10 高度:17.30mm 长度:35.30mm 宽度:9.50mm 直径:- 标准包装:480 EC4987-000 EC4988-000 EC4989-000 EC4990-000 EC4991-000 EC4992-000 EC4993-000 EC4994-000 EC4995-000 EC4996-000 EC4997-000 EC4998-000 EC4999-000 EC4H08C-TL-H EC4H09C-TL-H EC5 20G BTL EC5 500G BTL EC500