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ECHU1C681GX5

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  • ECHU1C681GX5
    ECHU1C681GX5

    ECHU1C681GX5

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • Panasonic

  • 标准封装

  • 08+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • ECHU1C681GX5
    ECHU1C681GX5

    ECHU1C681GX5

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 9000

  • PANASONIC/松下

  • SMD

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

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  • 1
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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Company
  • 功能描述
  • Film capacitor SMD ECHU 16V 680pF
ECHU1C681GX5 技术参数
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1C821JX5 ECH-U1C822GX5 ECH-U1C822JB5 ECH-U1C822JX5 ECH-U1C823GX5 ECH-U1C823JB5 ECH-U1C823JX5 ECH-U1H101GB5 ECH-U1H101GX5 ECH-U1H101JB5 ECH-U1H101JX5 ECH-U1H102GB5 ECH-U1H102GX5 ECH-U1H102JB5 ECH-U1H102JX5 ECH-U1H103GB5 ECH-U1H103GX5 ECH-U1H103JB5
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