配单专家企业名单

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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ECJ1VB0J225K
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
原厂
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

ECJ1VB0J225K
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

ECJ1VB0J225K
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
320000
Panasonic
SMD
06+
-
现货特价CXW

ECJ1VB0J225K
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
69860
PAN
2020+
-
大中華區授權代理可接受訂貨

ECJ1VB0J225K
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
5852
PAN
N/A
18+
-
进口原装特价出售

ECJ1VB0J225K
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：陈康
电话：18998911681
地址：深圳市福田区华强北振兴路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
600011
原厂原封
2013+
-
原装进口

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制造商
AD
制造商全称
Analog Devices
功能描述
Micro PMU with 1.2 A Buck Regulator

ECJ1VB0J225K 技术参数

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件状态:有效类型:绝缘体形状:圆形使用:电容器，电解材料:聚酯颜色:透明特性:- 长度:- 宽度:- 高度:0.005"（0.13mm）直径 - 外部:0.831"（21.10mm）直径 - 内部:- 标准包装:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECJ-1VB0J824K ECJ-1VB1A105K ECJ-1VB1A106M ECJ-1VB1A124K ECJ-1VB1A154K ECJ-1VB1A184K ECJ-1VB1A224K ECJ-1VB1A225K ECJ-1VB1A225M ECJ-1VB1A334K ECJ-1VB1A474K ECJ-1VB1A684K ECJ-1VB1C103K ECJ-1VB1C104K ECJ-1VB1C105K ECJ-1VB1C123K ECJ-1VB1C153K ECJ-1VB1C183K

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