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ECJ2VC1H471J

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    ECJ2VC1H471J

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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人:

    电话:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 6482

  • PANA

  • N/A

  • 18+

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  • 进口原装特价出售

  • ECJ2VC1H471J
    ECJ2VC1H471J

    ECJ2VC1H471J

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

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  • NULL

  • 09/10+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • MLCC 470pF 5% 50V NPO SURFACE MOUNT 0805
  • 制造商
  • Panasonic Electric Works
  • 功能描述
  • Capacitor, Ceramic, 470pf, 50V, 5±%
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Company
  • 功能描述
  • Capacitor, Ceramic, 470pf, 50V, 5±%
ECJ2VC1H471J 技术参数
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件状态:有效 类型:绝缘体 形状:圆形 使用:电容器,电解 材料:聚酯 颜色:透明 特性:- 长度:- 宽度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直径 - 外部:0.831"(21.10mm) 直径 - 内部:- 标准包装:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECJ-2VC2A102J ECJ-2VC2A150J ECJ-2VC2A151J ECJ-2VC2A220J ECJ-2VC2A221J ECJ-2VC2A330J ECJ-2VC2A331J ECJ-2VC2A470J ECJ-2VC2A471J ECJ-2VC2A680J ECJ-2VC2A681J ECJ-2VC2D100D ECJ-2VC2D150J ECJ-2VC2D220J ECJ-2VC2D330J ECJ-2VC2D470J ECJ-2VF1C104Z ECJ-2VF1C105Z
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