EPC817B/C

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EPC817B/C 技术参数

EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:138 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8008ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:325 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024