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F1T1G

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  • F1T1GR0
    F1T1GR0

    F1T1GR0

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TAIWAN SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 整流器 1.0 Amp 50 Volt 150ns
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
F1T1G 技术参数
  • F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级(满负载):15.5V,32V 电流 - 输出(最大值):6A,1A 初级绕组:单一 次级绕组:双 中心抽头:是 功率 - 最大值:122 VA 安装类型:底座安装 端子类型:导线引线 大小/尺寸:80.95mm 长 x 79.38mm 宽 高度 - 安装(最大值):95.25mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:在售 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:5MHz ~ 3GHz 功率(W):- 阻抗:75 欧姆 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1T2GHA0G F1T2GHA1G F1T2GHR0G F1T3G A0G F1T3G A1G F1T3G R0G F1T3GHA0G F1T3GHA1G F1T3GHR0G F1T4G A0G F1T4G A1G F1T4G R0G F1T4GHA0G F1T4GHA1G F1T4GHR0G F1T5G A0G F1T5G A1G F1T5G R0G
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