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FDD6670AS-NL

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
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FDD6670AS-NL 技术参数
  • FDD-50ST2/1-LF 功能描述:D-SUB 50 SOD FILTERED TIN 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 FDC6901L 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6332L 功能描述:MOSFET 1.8V P-Ch MOSFET Common Source RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDC6331L 功能描述:功率驱动器IC Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDC6330L 功能描述:功率驱动器IC 20V 80mOhm P-CHANNEL RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDD6690A FDD6696 FDD6760A FDD6770A FDD6776A FDD6778A FDD6780 FDD6780A FDD6782A FDD6796 FDD6796A FDD6N20TF FDD6N20TM FDD6N25TF FDD6N25TM FDD6N50FTF FDD6N50FTM FDD6N50TF
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