您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > F字母型号搜索 > F字母第1230页 >

FSSA101005RNN30S

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • FSSA101005RNN30S
    FSSA101005RNN30S

    FSSA101005RNN30S

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Murata Electronics North

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

  • FSSA101005RNN30S
    FSSA101005RNN30S

    FSSA101005RNN30S

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
FSSA101005RNN30S PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • EMI/RFI 抑制器及铁氧体 28ohm @100MHz Plate Core
  • RoHS
  • 制造商
  • Fair-Rite
  • 产品
  • Ferrite Cores
  • 阻抗
  • 365 Ohms
  • 容差
  • 最大直流电流
  • 最大直流电阻
  • 工作温度范围
  • - 55 C to + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 端接类型
  • SMD/SMT
FSSA101005RNN30S 技术参数
  • FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FSS273-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):45V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2225pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FSS264-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1560pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FSS1500NST 功能描述:Surface Mount Force Sensor 1.5kgf (3.3lbs) 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:FSS 零件状态:有效 作用力:1.5kgf(3.3磅) 输出:180mV 传感器类型:表面贴装 电压 - 电源:3 V ~ 6 V 致动器类型:滚珠 致动器样式/尺寸:圆形,1.98mm 工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:100 FST100150 FST10020 FST100200 FST10030 FST10035 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8 FST120100
配单专家

在采购FSSA101005RNN30S进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买FSSA101005RNN30S产品风险,建议您在购买FSSA101005RNN30S相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的FSSA101005RNN30S信息由会员自行提供,FSSA101005RNN30S内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号