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FW-5+

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  • FW-5+
    FW-5+

    FW-5+

    优势
  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人:

    电话:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 543

  • MINI

  • N/A

  • 18+

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  • 只要挂的都是有货,价格实惠。

  • FW-5+
    FW-5+

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

  • 5000

  • MINI

  • NA

  • 21+

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  • 原厂渠道,真实库存,价格最优.

  • FW-5+
    FW-5+

    FW-5+

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 100

  • MINI-CIRCUITS

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  • #N/A

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

  • FW-5+
    FW-5+

    FW-5+

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 100

  • MINI-CIRCUITS

  • NA

  • 23+

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  • 现货!就到京北通宇商城

  • FW-5+
    FW-5+

    FW-5+

  • 深圳市雄盛鑫电子有限公司
    深圳市雄盛鑫电子有限公司

    联系人:黄莉莉 15986606941

    电话:0755-8279488682797941

    地址:公司一部:深圳市福田区华强北赛格广场59楼5904AB

  • 2250

  • Mini-circuits

  • FF704

  • 21+

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  • 原厂直销,深港仓储,全线排单

  • FW-5+
    FW-5+

    FW-5+

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • MINI-CIRCUITS

  • N/A

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  • 专业BOM配单,正品原装

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FW-5+ 技术参数
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):45V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A,4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A,5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):45V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:军用,MIL-R-5757/10,FW,CII 包装:散装 零件状态:在售 继电器类型:通用 线圈类型:无锁存 线圈电流:- 线圈电压:26.5VDC 触头外形:DPDT(2 C 型) 额定接触(电流):2A 开关电压:28VDC - 标称 导通电压(最大值):13 VDC 关闭电压(最小值):2.3 VDC 工作时间:6ms 释放时间:6ms 特性:- 安装类型:底座安装 端子类型:焊接钩 触头材料:- 线圈功率:- 线圈电阻:- 工作温度:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 FW-50-01-F-D-250-080 FW-50-01-F-D-250-090 FW-50-01-F-D-250-100 FW-50-01-F-D-350-065 FW-50-01-F-D-350-075 FW-50-01-F-D-350-100 FW-50-01-F-D-375-065 FW-50-01-F-D-425-065 FW-50-01-F-D-425-075 FW-50-01-F-D-425-100 FW-50-01-F-D-472-070 FW-50-01-F-D-540-075 FW-50-01-F-D-550-071-EP FW-50-01-F-D-609-143 FW-50-01-G-D-200-065 FW-50-01-G-D-200-075 FW-50-01-G-D-200-100 FW-50-01-G-D-250-065
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