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GP1S074

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    GP1S074

    GP1S074

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • GP1S074
    GP1S074

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  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人:谢先生

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    地址:深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质:营业执照

  • 25708

  • SHARP

  • DIP-3

  • 13+

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  • 原装现货/价格优势

  • GP1S074
    GP1S074

    GP1S074

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

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    地址:华强路汇商中心

  • 8569

  • KODENSHI

  • DIP-3

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  • 仅做全新原装品牌货库存现货

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GP1S074 技术参数
  • GP1S036HEZ 功能描述:SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 工作角度:- 输出类型:2 相 安装类型:通孔,直形 工作温度:-25°C ~ 85°C 电压 - 电源:- 电流 - 输出:20mA 封装/外壳:PCB 安装 标准包装:50 GP1M023A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 11.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3391pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP1M018A020PG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:1 GP1M018A020HG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1 GP1S097HCZ0F GP1S173LCS2F GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1 GP1S44S1J00F
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