GP1S093HCE

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GP1S093HCE
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
SHARP
DIP
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

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GP1S093HCE 技术参数

GP1S092HCPIF 功能描述:SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD 制造商:sharp/socle technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售感应距离:0.079"（2mm）感应方法:可传导的输出配置:光电晶体管电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 响应时间:50μs，50μs 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD 类型:无放大标准包装:1 GP1S092HCPI 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期感应距离:0.079"（2mm）感应方法:可传导的输出配置:光电晶体管电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 响应时间:50μs，50μs 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD 类型:无放大标准包装:1 GP1S036HEZ 功能描述:SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期工作角度:- 输出类型:2 相安装类型:通孔，直形工作温度:-25°C ~ 85°C 电压 - 电源:- 电流 - 输出:20mA 封装/外壳:PCB 安装标准包装:50 GP1M023A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3391pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP1M020A050N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3094pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PN 标准包装:1 GP1S194HCZ0F GP1S196HCPSF GP1S196HCZ0F GP1S196HCZSF GP1S25 GP1S25J0000F GP1S273LCS1F GP1S296HCPSF GP1S36 GP1S36J0000F GP1S39 GP1S396HCP0F GP1S396HCPSF GP1S39J0000F GP1S44S1 GP1S44S1J00F GP1S51V GP1S51VJ000F