HFIELDEV全国供应商 HFIELDEV资料|PDF Datasheet|价格【Microchip 恩智浦】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

HFIELDEV
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
8000
Mrochip
Analog
16+
-
只做原装，假一赔十

HFIELDEV
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
0
MICROCHIP
NA
23+
-
传感器评估板

HFIELDEV
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Microchip Technology
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

HFIELDEV
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
18149
MICROCHIP/微芯
Analog
21+
-
原厂原装现货

HFIELDEV
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
8000
MICROCHIP/微芯
Analog
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

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功能描述
磁传感器开发工具 Magnetic Field Noise Brd
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
工具用于评估
接口类型
工作电压

HFIELDEV 技术参数

HFI-201209-R15J 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:陶瓷电感:150nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:13 @ 50MHz 频率 - 自谐振:500MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.043"（1.10mm）标准包装:10 HFI-201209-R10J 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI-201209 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:陶瓷电感:100nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:900 毫欧最大不同频率时的 Q 值:18 @ 100MHz 频率 - 自谐振:600MHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.043"（1.10mm）标准包装:10 HFI-201209-3N9J 功能描述:3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:多层材料 - 磁芯:陶瓷电感:3.9nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大不同频率时的 Q 值:12 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.047" 宽（2.00mm x 1.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.043"（1.10mm）标准包装:10 HFI-201209-2N2S 功能描述:2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:陶瓷电感:2.2nH 容差:±0.3nH 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.043"（1.10mm）标准包装:10 HFI-201209-1N8S 功能描述:1.8nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:陶瓷电感:1.8nH 容差:±0.3nH 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.043"（1.10mm）标准包装:10 HFMD18105 HFMD1884 HFMD1885 HFMD20105 HFMD20106 HFMD2085 HFMD2086 HFMD2088 HFMD22105 HFMD2286 HFMDT18164 HFMDT18165 HFMDT18184 HFMDT18185 HFMDT18186 HFMDT20165 HFMDT20166 HFMDT20168