HMC1O22

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HMC1O22 技术参数

HMC199MS8ETR 功能描述:RF Switch IC Cellular, ISM, PCS 2 x SPDT 2.5GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率?- 下:DC 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:21dB @ 2.5GHz（标准）插损 @ 频率:0.7dB @ 2.5GHz IIP3:36dBm（标准）拓扑:反射电路:2 x SPDT P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:手机，ISM，PCS 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC199AMS8ETR 功能描述:RF Switch IC ISM SPDT 2.5GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:0Hz 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:25dB @ 2GHz（标准）插损 @ 频率:0.6dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:28dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3V，5V RF 类型:ISM 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC199AMS8E 功能描述:RF Switch IC ISM SPDT 2.5GHz 50 Ohm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率?- 下:0Hz 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:25dB @ 2GHz（标准）插损 @ 频率:0.6dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:28dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3V RF 类型:ISM 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC199AMS8 功能描述:RF Switch IC ISM SPDT 2.5GHz 50 Ohm 8-MSOP-EP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率?- 下:0Hz 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:25dB @ 2GHz（标准）插损 @ 频率:0.6dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:28dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3V RF 类型:ISM 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP-EP 标准包装:1 HMC197BETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 3GHz 50 Ohm SOT-26 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 2.5GHz（标准）插损 @ 频率:0.9dB @ 2.5GHz IIP3:55dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:29dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3V RF 类型:通用封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1 HMC207AS8 HMC207AS8E HMC207AS8ETR HMC207AS8TR HMC208AMS8 HMC208AMS8E HMC208AMS8ETR HMC208AMS8TR HMC20DRAH HMC20DRAH-S734 HMC20DRAI HMC20DRAI-S734 HMC20DRAN HMC20DRAN-S734 HMC20DRAS HMC20DRAS-S734 HMC20DREF HMC20DREF-S13