HMC351MS8

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HMC351MS8 技术参数

HMC349MS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSOP-EP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:47dB @ 4GHz（标准）插损 @ 频率:1.8dB @ 4GHz IIP3:47dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:31dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSOP-EP 标准包装:1 HMC349LP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz（标准）插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:46dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:31dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 125°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（4x4）标准包装:1 HMC349AMS8GETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz（标准）插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC349AMS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz（标准）插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（最小）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC349ALP4CETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz（标准）插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:53dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（4x4）标准包装:1 HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734 HMC35DRAS HMC35DRAS-S734 HMC35DREF HMC35DREF-S13 HMC35DREF-S734 HMC35DREH HMC35DREH-S13 HMC35DREH-S734 HMC35DREH-S93