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说明
操作

HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
38600
HYNIX
NA
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

HYCOSEEOM
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
17937
HYNIX/海力士
BGA
21+
-
原厂原装现货

HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
5000
Hynix
20+
-
进口原装现货

HYCOSEEOMFI-6S(S/H)OE
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
133
Hynix
假一赔十！
-
原装自己现货！！

HYCOSEEOMFIP-6SS/HOE
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
6500
Hynix
原厂原装
1645+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
Hynix
15+
-
原装正品，假一罚十

HYCOSEEOMFI-6S(S/H)OE
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
133
Hynix
2008+
-

HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
Hynix
18+
-
优势库存，原装现货

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HYCOSEEOM 技术参数

HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线）电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) HYS72T128000HR-3S-B HYS72T128420HFA-3S-B HYT100 HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11 HZ0402A152R-10 HZ0402A182R-10 HZ0402A601R-00 HZ0402A601R-10

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