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ICL7667CBAZA-TTR

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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ICL7667CBAZA-TTR 技术参数
  • ICL7667CBAZA-T 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM TAPE & RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ICL7667CBAZA 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ICL7667CBA-T 功能描述:功率驱动器IC DL PWR MOS DRVR COM TAPE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ICL7667CBA+T 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ICL7667CBA+ 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ICL7673CBA-T ICL7673CBAZA ICL7673CBAZA-T ICL7673CPAZ ICL8001G ICL8001GXUMA1 ICL8002GXUMA1 ICL8038CCPD ICL8069BCSA ICL8069CCSA ICL8069CCZQ ICL8069CCZR ICL8069DCSA ICL8069DCZQ ICL8069DESA ICL8105XUMA2 ICL8201XTSA1 ICLS6021JXKLA1
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