IRS2153DPBF.

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IRS2153DPBF.
深圳市柏新电子科技有限公司
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联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
20329
IR
DIP8
2012+
-
只做原装正品。

IRS2153DPBF.
甄芯网
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
20329
I
DIP8
06+
-
主营IR原装正品

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IRS2153DPBF. 技术参数

IRS2153DPBF 功能描述:功率驱动器IC Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21531DSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21531DSPBF 功能描述:功率驱动器IC SELF-OSCILLATING HALF BRDG DRVR 600V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21531DPBF 功能描述:功率驱动器IC Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2128STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2166CD IRS2166DC IRS2166DCD IRS2166DPBF IRS2166DSPBF IRS2166DSTRPBF IRS21681DSPBF IRS21681DSTRPBF IRS2168DPBF IRS2168DSPBF IRS2168DSTRPBF IRS21814MPBF IRS21814MTRPBF IRS21814PBF IRS21814SPBF IRS21814STRPBF IRS2181PBF IRS2181SPBF