IRS2157D

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IRS2157D
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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IRS2157D 技术参数

IRS21571DSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC Ballast Cntrl IC 600V .500A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS21571DSPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V BALLAST CTRL IC 15.6 ZENER CLAMP RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2153DSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2153DSPBF 功能描述:功率驱动器IC SELF-OSCILLATING HALF BRDG DRVR 600V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2153DPBF 功能描述:功率驱动器IC Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IRS2166DSTRPBF IRS21681DSPBF IRS21681DSTRPBF IRS2168DPBF IRS2168DSPBF IRS2168DSTRPBF IRS21814MPBF IRS21814MTRPBF IRS21814PBF IRS21814SPBF IRS21814STRPBF IRS2181PBF IRS2181SPBF IRS2181STRPBF IRS21834PBF IRS21834SPBF IRS21834STRPBF IRS2183PBF