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IS42S81600D-6TLI

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IS42S81600D-6TLI 技术参数
  • IS42S81600D-6TL 功能描述:动态随机存取存储器 128M (16Mx8) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS42S32800J-7TLI 功能描述:IC SDRAM 256MB 143MHZ 86TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标准包装:108 IS42S32800J-7TL 功能描述:IC SDRAM 256MB 143MHZ 86TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标准包装:108 IS42S32800J-7BLI 功能描述:IC SDRAM 256MB 143MHZ 90BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA(8x13) 标准包装:240 IS42S32800J-7BL 功能描述:IC SDRAM 256MB 143MHZ 90BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8M x 32) 速度:143MHz 接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA(8x13) 标准包装:240 IS42S81600E-7TLI-TR IS42S81600E-7TL-TR IS42S81600F-6TL IS42S81600F-6TLI IS42S81600F-6TLI-TR IS42S81600F-6TL-TR IS42S81600F-7TL IS42S81600F-7TLI IS42S81600F-7TLI-TR IS42S81600F-7TL-TR IS42S83200B-6T IS42S83200B-6TL IS42S83200B-6TLI IS42S83200B-6TLI-TR IS42S83200B-6TL-TR IS42S83200B-6T-TR IS42S83200B-7T IS42S83200B-7TI
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