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IS43R32800B-5BI

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  • 北京杰创宏达电子有限公司
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    联系人:沈小姐/伊小姐

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    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市华诺星科技有限公司
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    联系人:陈康

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    资质:营业执照

  • 4655

  • ISSI

  • Mini-FBGA

  • 2014+

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  • 进口原装,假一罚十

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  • 1
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  • 制造商
  • Integrated Silicon Solution Inc
  • 功能描述
  • DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 2.5V 144-Pin Mini-BGA
  • 制造商
  • ISSI
  • 功能描述
  • DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 2.5V 144-Pin Mini-BGA
IS43R32800B-5BI 技术参数
  • IS43R32400E-5BL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43R32400E-5BLI-TR 功能描述:动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43R32400E-5BLI 功能描述:动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43R32400E-5BL 功能描述:动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43R32400E-4BL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43R32800D-6BL-TR IS43R83200B-5TL IS43R83200B-5TL-TR IS43R83200B-6TL IS43R83200B-6TL-TR IS43R83200D-5TL IS43R83200D-5TL-TR IS43R83200D-6TL IS43R83200D-6TLI IS43R83200D-6TLI-TR IS43R83200D-6TL-TR IS43R83200F-5TL IS43R83200F-5TL-TR IS43R83200F-6TL IS43R83200F-6TLI IS43R83200F-6TLI-TR IS43R83200F-6TL-TR IS43R86400D-5BL
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