IS61NVP102418-200B2LI

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IS61NVP102418-200B2LI 技术参数

IS61NVF51236-7.5TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NVF51236-7.5TQI 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NVF51236-6.5TQL-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NVF51236-6.5TQL 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 静态随机存取存储器 2.5v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NLP6432A-200TQLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61NVP51236-200B3I-TR IS61NVP51236-200B3LI IS61NVP51236-200B3LI-TR IS61NVP51236-200TQLI IS61NVP51236-200TQLI-TR IS61NVP51236B-200B3I IS61NVP51236B-200B3I-TR IS61NVP51236B-200B3LI IS61NVP51236B-200B3LI-TR IS61NVP51236B-200TQLI IS61NVP51236B-200TQLI-TR IS61QDB21M18A-250B4LI IS61QDB21M18A-250M3L IS61QDB21M36-250M3 IS61QDB21M36-250M3L IS61QDB21M36A-250M3L IS61QDB21M36C-250M3 IS61QDB21M36C-250M3L