IS61WV5128BLL-10TLI/SRAM

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IS61WV5128BLL-10TLI/SRAM 技术参数

IS61WV5128BLL-10TLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb (512k x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLL-10KLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLL-10KLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 8ns/3.3v 10ns/2.4-3.6v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLL-10BLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLL-10BLI 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV6416BLL-12BLI IS61WV6416BLL-12BLI-TR IS61WV6416BLL-12KLI IS61WV6416BLL-12KLI-TR IS61WV6416BLL-12TLI IS61WV6416BLL-12TLI-TR IS61WV6416DBLL-10BLI IS61WV6416DBLL-10BLI-TR IS61WV6416DBLL-10TLI IS61WV6416DBLL-10TLI-TR IS61WV6416EEBLL-10BLI IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR IS61WV6416EEBLL-10TLI IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR IS62C10248AL-55TLI IS62C10248AL-55TLI-TR IS62C1024AL-35QI IS62C1024AL-35QI-TR