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IS61WV5128EDBLL-10KLA3

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IS61WV5128EDBLL-10KLA3 技术参数
  • IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128EDBLL-10BLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLS-25TLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb, 512Kx8 25ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLS-25TLI 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 25ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV5128BLL-10TLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS61WV6416BLL-12TLI-TR IS61WV6416DBLL-10BLI IS61WV6416DBLL-10BLI-TR IS61WV6416DBLL-10TLI IS61WV6416DBLL-10TLI-TR IS61WV6416EEBLL-10BLI IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR IS61WV6416EEBLL-10TLI IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR IS62C10248AL-55TLI IS62C10248AL-55TLI-TR IS62C1024AL-35QI IS62C1024AL-35QI-TR IS62C1024AL-35QLI IS62C1024AL-35QLI-TR IS62C1024AL-35TI IS62C1024AL-35TI-TR IS62C1024AL-35TLI
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